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瞬态热阻测试仪

所属栏目:泛半导体

发布时间:2025-06-13

关注度:296次

简单介绍:瞬态热阻测试仪通过JESD 51-14认证,提供±0.1°C温控与结构函数分析,精准测量半导体/LED结温、热阻及封装材料性能。集成硅油温控系统与多工位同步标定,适配SiC功率循环与产线全检,国产化方案成本降低30%,已构建热数字孪生TDA生态链。

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符合JESD 51-1、JESD 51-14标准,可输出结构函数,用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组的瞬态热测试、热结构分析。


全球领先的瞬态热测试技术

  • 超高精度:温度(Tj)分辨率0.01℃,1MHz变频采样;

  • 技术领先:第三代瞬态热测试技术,可输出结构函数进行热结构分析;

  • 行业领先:具备4路高速高精度采集模块,采样速度,精度均达到行业顶尖水平;

  • 架构领先:采用B/S架构控制系统、可远程对设备进行状态监控和控制,实现智能化;

  • 瞬态监测:连续采集加热和冷却区的结温变化,同步采集温度监控点数据;

  • NPS技术:同步采集温度监控点(NTC/PTC)和结温数据,形成数据关系矩阵。



主要功能与参数

型号CXSTD-30A10V4P
测试模式DIODE模式   SAT模式   IGBT模式   RDSON模式   HEMT模式
对应器件DIODE、MOSFET、IGBT/IGCT、HEMT、GTO、IC
标准符合JESD51-1、JESD51-14、IEC 60747-8、IEC 60747-9、IEC 60747-15、IEC 60749-23、IEC60749-34、AEC-Q101、AQG 324等相关标准要求
门控电源参数数量4
输出方式隔离输出
输出范围-10V ~ 20V
输出误差≤0.1V + 0.5%set
分辨率0.01V
NTC/PTC数据同步采集NTC测量范围250kΩ 〜 100Ω
PTC测量范围100Ω 〜 250kΩ
最高采样频率1MHZ
同步时间误差≤1μs
加热电源参数规格型号30A / 10V
电流输出误差≤0.05A + 0.1%set
电流设定分辨率0.01A
开关速度1μs
测温电流源(主)±0.1A ~ ±1A / 10V
分辨率1mA
误差≤2mA + 0.5%set
测温电流源(辅)0 ~ 100mA / 10V
分辨率0.01mA
误差0~10mA≤50μA + 0.5%set
10 ~ 100mA≤0.5mA + 0.5%set
测量通道数量4
动态电压测量测量范围±5V(差分模式)
测量误差≤1mV + 0.5%set
动态量程100mV、200mV、400mV、800mV
动态分辨率1.6μV
采样频率最高1MHz
采样模式连续变频采样




温度系数标定

温控设备参数支持所有采样通道同时标定
冷媒硅油
温度范围-35℃ ~ 180℃
温度误差≤0.1℃
显示分辨率0.01℃
标定控制自动温度稳定判断
自动样品电压稳定判断
支持迟滞消除
支持用户设定标定点数
历史数据保存记录并保存标定过程数据设定温度VS时间
实际温度VS时间
样品电压VS时间
NTC/PTC电阻VS时间
全过程记录K系数标定,保证数据可追溯

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输出结果K系数标定数据(电压VS温度)

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NTC/PTC标定数据(电阻VS温度)
支持多种数据拟合方式(线性/2次/3次多项式等)
显示数据拟合度(R2值)
支持多个K系数曲线对比

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瞬态热测试

瞬态热测试加热过程实时瞬态测试实时显示结果电源打开稳定时间 10ms ~ 50ms(与选配的外部电源型号相关)
连续加热时间(连续采样时间)0.1s ~ 96h
降温过程实时瞬态测试实时显示结果电源关断时间≤1μs
测试电压下降稳定时间10μs (与被测样品的寄生电容电感参数相关)
平方根数据修正推算结温
连续冷却时间(连续采样时间)0.1s ~ 96h

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数据处理与输出

数据处理与输出升温过程原始数据点ADC vs 时间曲线

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电压 vs 时间曲线
降温过程原始数据点ADC vs 时间曲线
电压 vs 时间曲线
温度 vs 时间曲线
瞬态响应数据温度响应曲线
Zth曲线
时间常数谱
结构函数(积分、微分)
热模型抽取
脉冲热阻
安全工作区

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热模型抽取降阶RthCth 模型
可指定模型阶数:3~16阶
可输出降阶模型的拟合Zth曲线,并与实测Zth进行曲线对比

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脉冲热阻

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安全工作区

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